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计算机电缆

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IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5计算机电缆

2023-12-31 00:49 已有人浏览 安徽佰能电气有限公司
TAG标签:计算机屏蔽电缆
IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5计算机电缆适用于石油、化工、电力、煤气工程、矿山等存在爆炸危险的场合以及其它防爆安全要求较高的场合,传输自动控制信号...

产品分类计算机电缆

产品型号客户要求

产品电压-

包装类型软包货盘装

护套材质根据具体型号

报价电话 18098308844

详情介绍

             

IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5计算机电缆适用于石油、化工、电力、煤气工程、矿山等存在爆炸危险的场合以及其它防爆安全要求较高的场合,传输自动控制信号。该电缆具有低电容、低电感集散型仪表信号电缆,简称本安DCS系统用电缆,具有优异的屏蔽性能和抗干扰性能,因此防爆安全性能明显高于一般DCS系统电缆和计算机控制电缆。

 计算机电缆执行标准:采用企业标准生产

 IA-DJYJP3VP3R-10*2*2.5计算机电缆使用特性:

1、交流额定电压U0/U:300/500V
2、电缆导体长期允许zui高工作温度:聚氯乙烯绝缘为70℃;交联聚乙烯绝缘为90℃;无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘为70℃。
3、zui低环境温度:固定敷设-40℃;非固定敷设-15℃;安装敷设时环境温度:不低于0℃。
4、电缆允许弯曲半径:非铠装、编织屏蔽电缆不小于电缆外径的6倍;铜带屏蔽、铠装电缆不小于电缆外径的12倍。

计算机电缆型号和名称:

型号

名称

IA-DJYPVP

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYPVPR

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP3VP3

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP3VP3R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYP2VP2

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYP2VP2R

聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJPVP

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJPVPR

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP3VP3

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP3VP3R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

IA-DJYJP2VP2

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

IA-DJYJP2VP2R

交联聚乙烯绝缘聚氯乙烯护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYPVP

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安DCS电缆

WDZ-IA-DJYPVPR

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜线编织分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP3VP3R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铝塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS电缆

WDZ-IA-DJYP2VP2R

无卤低烟阻燃聚烯烃绝缘及护套铜塑复合带绕包分屏总屏本安型DCS软电缆

 计算机电缆技术参数 :

1、20℃导体直流电阻及导体结构

标称截面(mm2)

导体结构(根数/单丝直径mm)

20℃直流电阻≤(Ω/km)

A类

B类

R类

A、B类

R类

0.5

1/0.8

7/0.3

16/0.2

≤36.0

≤39.0

0. 75

1/0.97

7/0.37

24/0.2

≤24.5

≤26.0

1.0

1/1.13

7/0.43

32/0.2

≤18.1

≤19.5

1.5

1/1.38

7/0.52

30/0.25

≤12.1

≤13.3

2.5

1/1.78

7/0.68

49/0.25

≤7.41

≤7.98

2、20℃绝缘电阻

性能项目

PVC绝缘

PE、XLPE绝缘

20℃时绝缘电阻MΩ.KM

≥25

≥500

3、电缆应经受工频交流电压试验:2000V/1min绝缘不发生击穿,试验温度为环境温度。
4、工作电容(1KHZ):线芯与线芯≤90PF/m
5、分布电容(1KHZ)≤0.6μH/m
6、电磁干扰感应电压(干扰磁场400A/m)≤5mV
7、静电感应电压(静电电压20KV)<1V
8、辐射场透入强度(干扰场强120dBμV,干扰场频率200MHZ)≤dB。